摘要:【TechWeb】6 月 2 日消息,据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资 8 万亿韩元(约合人民币 466 亿元)在韩国平泽工业园区建 NAND 闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始
【TechWeb】6 月 2 日消息,据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资 8 万亿韩元(约合人民币 466 亿元)在韩国平泽工业园区建 NAND 闪存生产线。
三星电子
生产线建设上月已经开始,预计 2021 年下半年开始生产三星最先进的 V-NAND 产品。
三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命,以及 5G 普及而来的 NAND 需求。
上月,三星电子还透露,已在平泽投资建设生产线,新产线专注于基于极紫外光刻(EUV)技术的 5nm、及以下制程。新产线已开始建设,预计明年下半年开始量产 5nm 芯片。
三星电子表示,加上平泽生产线,韩国将拥有 7 条芯片制造产线。
三星电子去年 4 月曾提出 半导体愿景 2030,计划到 2030 年对系统芯片研发和生产技术领域投资 133 万亿韩元(约合人民币 7658 亿元)。
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