台积电宣布3nm工艺2021年风险量产 晶体管密度提升70%

台积电宣布3nm工艺2021年风险量产 晶体管密度提升70%

• 来源:网络
• 更新日期:2020-07-16

摘要：台积电两年前量产了7nm工艺，今年要量产5nm工艺了，已经被华为、苹果抢先预定了大部分产能，现在3nm工艺也定了，官方宣布2021年风险量产，2020年下半年正式量产。此外，台积电还透露了3

台积电两年前量产了7nm工艺，今年要量产5nm工艺了，已经被华为、苹果抢先预定了大部分产能，现在3nm工艺也定了，官方宣布2021年风险量产，2020年下半年正式量产。

此外，台积电还透露了3nm工艺的技术指标，相比今年的5nm工艺，3nm工艺的晶体管密度提升15%，性能提升10-15%，能效提升20-25%。

之前传闻台积电在3nm节点会放弃FinFET晶体管工艺转向GAA环绕栅极晶体管，不过最新消息称台积电研发成功2nm工艺，使用的是GAA晶体管技术，这意味着台积电3nm节点还会采用传统的FinFET工艺。

据外媒报道，台积电将如期推出iPhone和iPad的苹果A16芯片，该芯片将采用台积电的3nm工艺，并于2022年上市。