摘要: write_ad("menu_tags_up_button");CNMO_AD.init(); 据外媒TECHPOWERUP消息,英特尔被指控侵犯中国科学院微电子研究所的FinFET专利。 日前,美国专利
据外媒TECHPOWERUP消息,英特尔被指控侵犯中国科学院微电子研究所的FinFET专利。
日前,美国专利审查委员会听取了一项针对英特尔侵犯专利的指控,专利申请代号为201110240931.5,其通常称为FinFET专利。该专利来自中国科学院的微电子学研究所,最早可追溯到2011年。英特尔的所有半导体均使用了FinFET技术,如果侵权是事实,则英特尔的违规情况相当严重。目前,FinFET技术专利持有人提出了2亿元人民币的赔偿申请。
FinFET技术
此前,英特尔在半导体领域已身陷囫囵。该公司在第二季度财报中宣布了7nm芯片的延迟,与此同时,竞争对手台积电(TSMC)与AMD已经在7nm工艺上领先一步,这对英特尔的收益和市值产生了较大的打击。随后,英特尔又宣布重组其技术部门,原硬件高管Venkata(Murthy)Renduchintala将于日前离任。
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