三星平泽2号工厂投产 生产EUV工艺第三代10nm D-RAM

三星平泽2号工厂投产 生产EUV工艺第三代10nm D-RAM

• 来源:网络
• 更新日期:2020-08-31

摘要： write_ad("menu_tags_up_button");CNMO_AD.init(); 　　　三星电子于8月30日表示，平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。据了解，平泽2号半导体工厂将负

　　　三星电子于8月30日表示，平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。据了解，平泽2号半导体工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。

　　平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示，这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度，是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。

　　为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求，三星电子从今年5月开始在平泽2号工厂建造代工生产线，从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。

　　三星电子表示，“以量产D-RAM产品为起点，平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线，成为高科技综合生产工厂，为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。

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